Présentation:

① vide: 2.0x10-8pa;

② matériau: acier inoxydable 316L;

③ bride d'interface: toutes les brides de lame CF;

④ traitement de surface: traitement de polissage électrolytique dégraissé;

⑤ taille de cavité: personnalisé selon les besoins de l'utilisateur.

Introduction du dispositif d'épitaxie par faisceau moléculaire MBE:

L'épitaxie par faisceau moléculaire (MBE) est une méthode nouvellement développée de fabrication de films épitaxiés et un procédé de revêtement sous vide spécial. L'épitaxie est une nouvelle technique de préparation de films minces monocristallins, c'est une méthode de croissance de films minces couche par couche dans la direction de l'axe cristallin du matériau du substrat, sur un substrat approprié et dans des conditions appropriées.

Les avantages de cette technique sont les suivants: la température du substrat utilisé est faible, le taux de croissance de la couche de membrane est lent, l'intensité du faisceau est facile à contrôler avec précision et les composants de la couche de membrane et la concentration de dopage peuvent être rapidement ajustés en fonction des variations de la source. Cette technique a permis de réaliser des films minces monocristallins de quelques dizaines de couches atomiques, ainsi que des matériaux microstructurés quantiques en couches ultraminces formés par croissance alternée de films minces de différents composants, dopés différemment.